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TEM樣品制備技術對比

技術名稱 限制條件 優點 缺點 僞影(人(rén)爲(wéi / wèi)缺陷)
雙噴電解減薄 (Twin jet electrolytic thinning) 需針對特定化學元素調整電解液,對多相材料适用性有限 消除表面起伏和(hé / huò)應變硬化,無機械損傷 多相材料的(de)選擇性溶解 化學污染
全浸電解減薄 (Full bath electrolytic thinning) 同上(shàng) 同上(shàng) 同上(shàng) 同上(shàng)
雙噴化學減薄 (Twin jet chemical thinning) 僅适用于(yú)低化學反應性材料 同上(shàng) 同上(shàng) 同上(shàng)
全浸化學減薄 (Full bath chemical thinning) 同上(shàng) 同上(shàng) 同上(shàng) 同上(shàng)
離子(zǐ)束減薄 (Ion beam thinning) 選擇性刻蝕 适用于(yú)混合複合材料,常作爲(wéi / wèi)其他(tā)技術的(de)最終步驟 化學和(hé / huò)結構改變 輻射損傷
聚焦離子(zǐ)束減薄 (Focused ion beam thinning, FIB) 難以(yǐ)獲得超薄切片 可精确定位減薄區域(精度1µm) 同上(shàng) 輕微輻射損傷
粉碎法 (Crushing) 不(bù)适用于(yú)極硬或極軟材料 快速,無化學擴散 随機取向,喪失大(dà)尺度微觀結構 結構缺陷
楔形解理 (Wedge cleavage) 不(bù)适用于(yú)不(bù)可解理單晶基底或多晶基底 邊緣厚度均勻,操作簡單,可觀察沉積層厚度 透明區域局限于(yú)邊緣垂直方向 位錯
三腳架抛光 (Tripod polishing) 不(bù)适用于(yú)軟材料 可選定區域,觀測面積大(dà),無化學擴散 應變硬化,切片易碎 磨料污染,位錯
超薄切片 (Ultramicrotomy) 不(bù)适用于(yú)極硬、極脆或極軟材料 可控制取向,快速,支持三維重構 切片顫痕、壓縮、撕裂,金屬中機械損傷 結構缺陷、位錯、形變
冷凍超薄切片 (Cryo-ultramicrotomy) 混合複合材料中硬度差異過大(dà)會影響效果 可控制取向,适用于(yú)軟材料制備 同上(shàng) 同上(shàng)
直接複型 (Direct replica) 需顯著表面形貌,材料需化學惰性 适用于(yú)放射性材料 破壞樣品,圖像倒置,僅顯示形貌 形貌改變
間接複型 (Indirect replica) 需顯著表面形貌 非倒置形貌圖像,非破壞性 形貌分辨率低 同上(shàng)
萃取複型 (Extractive replicas) 需強附着力、高粗糙度表面 操作簡單,支持理化數據統計 可能溶解顆粒 同上(shàng)
冷凍斷裂 (Freeze-Fracture) 溶解困難 保持水合狀态下的(de)形貌 随機斷裂,圖像倒置,僅顯示形貌 冰晶、相分離
細顆粒分散 (Fine particles dispersion) 易團聚、質量分布不(bù)均、潤濕性差 快速,支持理化數據統計 幹燥導緻形變,分散劑殘留
單顆粒冷凍水合膜 (Frozen hydrated film of single particles) 膜厚不(bù)均、分散性差 保持水合狀态形貌 對電子(zǐ)束敏感 輻射損傷、冷凍損傷
裝飾投影對比 (Decoration-shadowing contrast) 支持三維形貌重構 對比金屬顆粒的(de)尺寸和(hé / huò)分布需控制
負染對比 (‘Negative staining’ Contrast) 樣品過厚或載體電子(zǐ)密度過高 極快 重現性有限 分辨率受限
正染對比 (‘Positive staining’ Contrast) 缺乏活性雙鍵位點 快速 對電子(zǐ)束敏感 金屬鹽污染
免疫标記 (Immunolabelling) 需在(zài)前期處理中保留抗原位點 特異性蛋白定位 标記不(bù)足 非特異性标記

資料來(lái)源:http://ayache.temsamprep.free.fr/guides_methodologiques.php?lang=eng

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