描述
PELCO® Tripod PolisherTM 590由IBM East Fishkill實驗室的(de)研究人(rén)員設計，以(yǐ)準确地(dì / de)制備預先指定的(de)微米尺度區域的(de)透射電鏡和(hé / huò)掃描電鏡樣品。對于(yú)TEM樣品，該技術已成功地(dì / de)用于(yú)将離子(zǐ)研磨時(shí)間限制在(zài)15分鍾以(yǐ)内，并且在(zài)某些情況下，消除了(le／liǎo)離子(zǐ)研磨的(de)需要(yào / yāo)。
盡管這(zhè)項技術是(shì)爲(wéi / wèi)制備半導體橫截面而(ér)設計的(de)，但它已被用于(yú)從陶瓷、複合材料、金屬和(hé / huò)地(dì / de)質樣品等不(bù)同材料制備平面圖和(hé / huò)橫截面樣品。
590 TEM – 用于(yú)TEM樣品減薄，避免用手裸磨而(ér)容易造成的(de)樣品破碎；同時(shí)提升研磨薄度，有效減少後續離子(zǐ)減薄所需的(de)制備時(shí)間 590 SEM – 用于(yú)SEM樣品制備，避免手磨容易造成的(de)歪斜問題，有效提供制備精度、減少制備所需時(shí)間，從而(ér)大(dà)大(dà)提高效率 590 TS – 結合590 TEM與590 SEM 雙重功能，達到(dào)一(yī / yì ／yí)機多用。
操作–标準法
PELCO® Tripod PolisherTM 590可制備用于(yú)掃描電鏡和(hé / huò)透射電鏡橫截面分析的(de)樣品。爲(wéi / wèi)此，在(zài)PELCO® Tripod PolisherTM 590的(de)帶槽的(de)L形支架上(shàng)夾放一(yī / yì ／yí)個(gè)特殊的(de)掃描電鏡樣品座，将樣品置于(yú)其上(shàng)。首先，在(zài)15μm粘合金屬的(de)金剛石盤上(shàng)進行初步研磨，再依次使用30μm到(dào)0.5μm系列尺寸的(de)金剛石膜進行研磨和(hé / huò)抛光，最後用二氧化矽懸浮液完成抛光過程。
在(zài)研磨過程中，通過後面的(de)兩個(gè)千分尺調整抛光面。使用倒置顯微鏡進行定期檢查，調整抛光面，直至其與感興趣面平行。此時(shí)，可将掃描電鏡樣品座移至離子(zǐ)研磨機中進行快速研磨，以(yǐ)去除細微的(de)劃痕、抛光碎屑，在(zài)掃描電鏡分析前得到(dào)樣品表面形貌。掃描電鏡樣品座可直接放入掃描電鏡分析。分析完成後，制作同一(yī / yì ／yí)區域的(de)透射電鏡樣品。從掃描電鏡樣品座上(shàng)取下樣品，貼在(zài)單孔TEM栅網上(shàng)。拆下帶槽的(de)L形支架，将TEM栅網置于(yú)抛光機中心的(de)圓形樣品支架上(shàng)。使用金剛石研磨膜（Diamond Lapping Film）對樣品進行機械減薄。在(zài)此過程中，使用倒置顯微鏡定期檢查，并通過調節千分尺使抛光面處于(yú)正确位置。樣品最終抛光至1μm或更薄，然後離子(zǐ)研磨15分鍾。
操作–楔形法
快速離子(zǐ)研磨中産生的(de)擇優減薄和(hé / huò)形貌使不(bù)同材料間界面的(de)研究變得困難。可通過完全消除離子(zǐ)研磨步驟和(hé / huò)采用楔形技術将樣品機械抛光到(dào)電子(zǐ)透明厚度來(lái)較少這(zhè)些問題的(de)發生。采用這(zhè)種技術時(shí)，用Pyrex®插件替換帶槽的(de)L型支架中的(de)SEM樣品座，将樣品置于(yú)插頭端面上(shàng)。
在(zài)得到(dào)目标面後，取下樣品并置于(yú)Pyrex®插件的(de)底端。調整兩個(gè)後千分尺，回撤近樣品的(de)那個(gè)千分尺，以(yǐ)使樣品減薄至楔形。從背側對楔形樣品頂端感興趣特征區減薄，直到(dào)目标區邊緣厚約1μm。然後，使用抛光布（如MultiTex Cloth（産品編号816-12）和(hé / huò)矽質懸浮液對樣品進行最後的(de)抛光處理，直到(dào)可以(yǐ)看到(dào)厚度條紋（低于(yú)幾千埃）。最後将樣品從Pyrex®插件中取出(chū)，置于(yú)單孔TEM載網上(shàng)進行分析。
l 适用TEM分析的(de)精細的(de)橫截面
l 快速、可重現地(dì / de)制備TEM樣品
l 将離子(zǐ)研磨時(shí)間從數小時(shí)縮短至數分鍾。
l 由整個(gè)樣品可制備得到(dào)大(dà)的(de)薄區。
