SEM碳基底錫球顆粒分辨率标樣

描述

碳基底上(shàng)的(de)錫球由于(yú)其近乎完美的(de)圓形，對于(yú)SEM、FESEM、FIB散光校正非常有用。在(zài)SEM、FESEM或FIB不(bù)允許使用金的(de)情況下，碳上(shàng)的(de)錫也(yě)被用來(lái)代替碳上(shàng)的(de)金，例如在(zài)半導體應用中。圓形錫球對于(yú)測試圖像質量、失真、對比度、亮度和(hé / huò)探針尺寸特别有用。有低、中、高三種放大(dà)率的(de)版本。

碳基底上(shàng)的(de)錫球，低放大(dà)倍數

尺寸範圍爲(wéi / wèi) 1 -10µm，适用于(yú)台式 SEM 以(yǐ)及 SEM、FESEM 和(hé / huò) FIB 的(de)低倍放大(dà)測試。放大(dà)範圍約爲(wéi / wèi) 250 x – 5000x。可選擇單标樣不(bù)帶樣品台，或者提前安裝在(zài)不(bù)同的(de)樣品台上(shàng)。ø6.4 mmx 0.7 mm。

碳基底上(shàng)的(de)錫球，中等放大(dà)倍數

錫球分散在(zài) ø6mm x 0.5mm 的(de)碳圓片上(shàng)，大(dà)部分尺寸在(zài) 10nm 到(dào) 100nm 之(zhī)間。散光校正和(hé / huò)分辨率測定的(de)理想選擇。推薦用于(yú)不(bù)能容忍碳基底金顆粒的(de)半導體行業中的(de) SEM、FESEM 和(hé / huò) FIB。可選擇單标樣不(bù)帶樣品台，或者提前安裝在(zài)不(bù)同的(de)樣品台上(shàng)。

載網上(shàng)的(de)碳基底上(shàng)的(de)錫球，高放大(dà)倍數

錫球分散在(zài)碳基底表面，碳基低由 3 mm帶标簽的(de)狹縫銅網(狹縫尺寸 0.4 x 2 mm)支撐,使用範圍約爲(wéi / wèi) 3 – 60 nm ｡錫球很容易定位在(zài)縫的(de)側面｡相對較薄的(de)載網使您的(de)樣品和(hé / huò)錫球标樣處于(yú)同一(yī / yì ／yí)水平｡可選擇單标樣不(bù)帶樣品台，或者提前安裝在(zài)不(bù)同的(de)樣品台上(shàng)。

碳基底上(shàng)的(de)錫球，放大(dà)範圍廣

錫球分散在(zài)ø6.15mm x 2.2 mm的(de)碳圓片上(shàng)。<20 – 400nm 的(de)近似尺寸範圍。适合散光矯正的(de)球形。粒徑範圍廣，球體較大(dà)，在(zài)低電壓下更易于(yú)使用。推薦用于(yú)不(bù)能容忍碳基底金顆粒的(de)半導體行業中的(de) SEM、FESEM 和(hé / huò) FIB。可選擇單标樣不(bù)帶樣品台，或者提前安裝在(zài)不(bù)同的(de)樣品台上(shàng)。